Тиристорный модуль серии MCO, IXYS

Описание: MOSFET N-CH 600 В 72 А SOT-227B
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 240 нКл при 10 В
Напряжение сток-исток (Vdss): 600 В
Vgs (макс.): ±30
В Напряжение возбуждения (макс. Rds On) , Мин. Rds On): 10
В Статус детали: Активный
Упаковка: Трубка
Комплект поставки устройства: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Рассеиваемая мощность (Max): 1040 Вт (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 мОм при 41 А, 10
В Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 72 А (Tc)
Тип полевого транзистора: N-канальная
Технология: МОП-транзистор (оксид металла)
Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип монтажа: Монтаж на шасси
Упаковка/корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds: 23000 пФ при 25 В