-
Ⅱ
Расширенный силовой МОП-транзистор LR012N04S10 для BMS платы
N-канальный SGT MOS
полевой транзистор SGT MOS LR012N04S10
напряжение сток-исток (Vdss): 40 В
Ток стока (Id): 300 А
пороговое напряжение (Vth): 1,6 В
сопротивление открытого состояния (RDS(on)): 0,9 мОм
тип корпуса TDSON-8 SMD для поверхностного монтажа
быстрый переключающийся MOSFET для источников бесперебойного питания (ИБП), BMS плат, точечно-контактных сварочных аппаратов
оптимизированная технология для преобразователей постоянного тока (DC/DC-конвертеров)
квалифицирован в соответствии с JEDEC1) для целевых приложений
N - канальный; уровень логики
очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)
превосходное тепловое сопротивление
устойчив к лавинному разрушению
Приминиение: BMS платы высокой мощности, контаткно-точечные сварочные аппараты
Полевой транзистор SGT MOSFET LR012N04S10
- Производитель: уточняйте
- Категории
- - Электронные компоненты и комплектующие
- - Транзисторы
- - Избранные
- - Точечная сварка сделай сам - diy spot welder
- Модель: LR012N04S10
- Локация: РЕГС
- Код товара: L-131319
- Наличие: 19
-
386.64 грн
-
Цены по количеству
Количество Цена 1–29 шт. 386.64 грн 30+ шт. 126.00 грн
МИНИМАЛЬНОЕ количество для заказа: 1
транзистор, полевой транзистор, полевой транзистор SGT MOSFET, SGT MOSFET, расширенный силовой МОП-транзистор