Тиристорний модуль серії MCO, IXYS

Опис: MOSFET N-CH 600 В 72 А SOT-227B
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 240 нКл при 10 В
Напруга сток-витік (Vdss): 600 В
Vgs (макс.): ±30
Напруга збудження (макс. Rds On) , Мін. Rds On): 10
Статус деталі: Активний
Упаковка: Трубка
Комплект постачання пристрою: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Потужність, що розсіюється (Max): 1040 Вт (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 мОм при 41 А, 10
В Струм - безперервний стік (Id) при 25 ° C: 72 А (Tc)
Тип польового транзистора: N-канальна
Технологія: МОП-транзистор (оксид металу)
Робоча температура: -55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип монтажу: Монтаж на шасі
Упаковка/корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) при Vds: 23000 пФ при 25 В