Розширений силовий МОП-транзистор LR012N04S10 для плати BMS
N-канальний SGT MOS
польовий транзистор SGT MOS LR012N04S10
напруга сток-витік (Vdss): 40 В
Струм стоку (Id): 300 А
гранична напруга (Vth): 1,6 В
опір відкритого стану (RDS(on)): 0,9 мОм
тип корпусу TDSON-8 SMD для поверхневого монтажу
MOSFET для джерел безперебійного живлення (ДБЖ), BMS плат, точково-контактних зварювальних апаратів
оптимізована технологія для перетворювачів постійного струму (DC/DC-конвертерів)
кваліфікований відповідно до JEDEC1) для цільових додатків
N - канальний; рівень логіки
дуже низький опір у відкритому стані (RDS(on))
чудовий тепловий опір
стійкий до лавинної руйнації
BMS плати високої потужності , контаткно-точкові зварювальні апарати
Польовий транзистор SGT MOSFET LR012N04S10
- Виробник: уточняйте
- Категорії
- - Електронні компоненти та комплектуючі
- - Транзистори
- - Обрані
- - Точкове зварювання зроби сам - diy spot welder
- Модель: LR012N04S10
- Локация: РЕГС
- Код товару L-131319
- Наявність: 19
-
386.64 грн
-
Цены по количеству
Количество Цена 1–29 шт. 386.64 грн 30+ шт. 126.00 грн
МИНИМАЛЬНОЕ количество для заказа: 1
Теги: транзистор, польовий транзистор, польовий транзистор SGT MOSFET, SGT MOSFET, розширений силовий МОП-транзистор