Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Силовой МОП-транзистор HEXFET® подходит для использования в приводах коллекторных двигателей, приводах двигателей BLDC, схемах с батарейным питанием, полумостовых и полномостовых топологиях, синхронных выпрямителях, источниках питания с резонансным режимом, ИЛИ и резервных силовых переключателях, DC/DC. Преобразователи постоянного и переменного/постоянного тока, инверторы постоянного/переменного тока.

• Оптимизирован для управления логическим уровнем

• Улучшенная устойчивость затвора, лавинной и динамической устойчивости к dV/dt

• Полностью охарактеризованная емкостная и лавинная SOA

• Расширенные возможности корпусного диода dV/dt и dI/dt

Технические параметры

Тип канала N-канал

Источник утечки информации о государственном сопротивлении 500 мкОм

Рассеяние мощности 416Вт

Квалификация -

Количество Выводов: 7вывод(-ов)

Линейка продукции: сильныйIRFET

Максимальная рабочая температура: 175°С

Монтаж транзистора: поверхностный монтаж

Напряжение измерения Rds(on): 10 В

Напряжение истока-стока Vds: 40В

Непрерывный ток стока: 360А

Полярность транзистора: N Канал

Порогово напряжение Vgs: 2,4 В

Рассеиваемая мощность: 416 Вт

Сопротивление во включенном состоянии Rds(on): 500 мкОм

Стиль корпуса транзистора: ТО-263(Д2ПАК)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-безлимитный

Бренд: Инфинеон Технологии

Режим канала: улучшение

Конфигурация: 1 N-канал

Количество заводской упаковки: 800

Время осени 176 нс

Прямая крутизна - мин. 264 С

Id — непрерывный ток стока: 557 А

Производитель: Инфинеон

Максимальная рабочая температура: +175 С

Минимальная рабочая температура: -55 С

Тип монтажа: СМД/СМТ

Количество каналов: 1 канал

Пакет/кейс : Д2ПАК-7

Pd — рассеиваемая мощность: 416 Вт

Категория продукта: МОП-транзистор

Qg - Плата за ворота: 307 нК

Rds On – сопротивление сток-исток: 500 мкОм

Время нарастания: 210 нс

РоХС подробности:

Торговое название: сильныйIRFET

Полярность транзистора: N-канал

Тип транзистора: 1 N-канал

Типичное время задержки выключения: 222 нс

Типичное время задержки включения: 67 нс

Vds — напряжение пробоя сток-исток: 40 V

Vgs — напряжение затвор-исток: +/-20 V

Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 1 V

Максимальный непрерывный ток стока: 557 А

Максимальное сопротивление источника стока: 0,00065 Ом

Максимальное напряжение источника стока: 40 V

Максимальное пороговое напряжение затвора: 2,4 В

Тип монтажа: поверхностный монтаж

Количество элементов на чип: 1

Тип упаковки: Д2ПАК-7

Количество контактов: 7

Ряд шестигранный транзистор

Материал транзистора: кремний

Вес, г: 1